土屋 龍太 | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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森田 祐介
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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森田 祐介
(株)日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
株式会社日立製作所中央研究所
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河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
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長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
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長田 健一
株式会社日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
株式会社日立製作所中央研究所
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堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
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長田 健一
株式会社日立製作所
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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杉井 信之
日立製作所・中央研究所
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
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伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
日立製作所中央研究所
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吉元 広行
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所ulsi研究部
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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堀内 勝忠
株式会社日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
日立製作所
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石垣 隆士
日立製作所
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
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杉井 信之
(株)日立製作所 中央研究所
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
日立・中研
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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伊澤 勝
日立中研
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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土屋 龍太
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- 低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ばらつきが小さく, CMOS-LSIの超低消費電力化が可能な薄膜BOX-SOI(SOTB)
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ナノメートル時代の半導体デバイスと製造技術の展望 (特集2 最先端半導体デバイスの製造を支えるベストソリューション)
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 微細CMOSの特性ばらつき問題を解決するドーパントレスFDSOI : SOTB