鳥居 和功 | 日立・中研
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概要
関連著者
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鳥居 和功
日立・中研
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鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
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鳥居 和功
(株)日立製作所 中央研究所
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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島 明生
日立製作所中央研究所
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峰 利之
日立製作所中央研究所
-
峰 利之
日立製作所 中央研究所
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藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
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島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
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笹子 佳孝
(株)日立製作所 中央研究所
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笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
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平谷 正彦
(株)日立製作所 中央研究所
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斉藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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藤崎 芳久
(株)日立製作所中央研究所
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木下 勝治
日立製作所中央研究所
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森川 貴博
日立製作所中央研究所
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黒土 健三
日立製作所中央研究所
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半澤 悟
日立製作所中央研究所
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守谷 浩志
日立製作所機械研究所
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高浦 則克
日立製作所中央研究所
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櫛田 恵子
(株)日立製作所中央研究所ULSI研究所
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平谷 正彦
Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park
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藤崎 芳久
(株)日立製作所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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斎藤 慎一
日立製作所中央研究所
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三木 浩史
(株)日立製作所中央研究所ULSI研究所
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斉藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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三木 浩史
(株)日立製作所 中央研究所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
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久米 均
日立製作所中央研究所
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吉元 広行
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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高田 啓二
日立・基礎研
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櫛田 恵子
日立・中研
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高田 啓二
日立基礎研
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久本 大
(株)日立製作所中央研究所
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松井 裕一
(株)日立製作所 中央研究所
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久本 大
日立総合計画研究所
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
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杉井 信之
日立製作所・中央研究所
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石田 猛
日立製作所 中央研究所
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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外村 修
(株)日立製作所 中央研究所
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尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
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三木 浩史
株式会社日立製作所中央研究所
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嶋本 泰洋
株式会社日立製作所中央研究所
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櫛田 恵子
株式会社日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
株式会社日立製作所中央研究所
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藤崎 芳久
株式会社日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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梶谷 一彦
日立製作所デバイス開発センタ
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糸賀 敏彦
(株)日立製作所 中央研究所
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横山 夏樹
日立製作所中央研究所
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関口 知紀
株式会社日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
日立製作所中央研究所
-
森田 祐介
日立製作所中央研究所
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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横山 夏樹
日立製作所 中央研究所
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阪田 健
日立製作所中央研究所
-
関口 知紀
日立製作所中央研究所
-
加賀 徹
日立製作所中央研究所
-
石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所ulsi研究部
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島 明生
(株)日立製作所
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濱村 浩孝
日立製作所中央研究所
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庄司 健一
日立製作所 中央研究所
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川上 博士
日立製作所 中央研究所
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組橋 孝生
日立製作所 中央研究所
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糸賀 敏彦
日立製作所 中央研究所
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茂庭 昌弘
日立製作所 中央研究所
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藤澤 宏樹
日立製作所デバイス開発センタ
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木村 勝高
日立製作所中央研究所
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三木 浩史
日立・中研
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入江 隆史
日立・中研
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阪田 健
(株)日立製作所中央研究所
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坂田 健
(株)日立製作所 中央研究所
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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森田 祐介
(株)日立製作所中央研究所
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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関口 知紀
(株)日立製作所中央研究所
-
尾内 享裕
日立 中研
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武田 英次
日立総合計画研究所
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加賀 徹
日立製作所 中央研究所
-
武田 英次
日立総合計画研
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土屋 龍太
日立製作所
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石垣 隆士
日立製作所
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石田 猛
日立製作所・中央研究所
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三木 浩史
日立製作所 中央研究所
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小林 正治
T. J. Watson Research Center
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手賀 直樹
日立製作所 中央研究所
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Frank D.
T. J. Watson Research Center
-
Bansal A.
T. J. Watson Research Center
-
Cheng K.
T. J. Watson Research Center
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Ren Z.
T. J. Watson Research Center
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Wu S.
SRDC, IBM Corporation
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Yau J-B.
T. J. Watson Research Center
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Guillorn M.
T. J. Watson Research Center
-
Park D.-G.
T. J. Watson Research Center
-
Haensch W.
T. J. Watson Research Center
-
Leobandung E.
T. J. Watson Research Center
-
山岡 雅直
日立製作所 中央研究所
著作論文
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- 高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術
- リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- High-k ゲート絶縁膜のスケーリング限界
- 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術
- 水素還元プロセスによるPt/Pb(Zr, Ti)O_3/Ptキャパシタ電気特性の変化
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- レーザーアニールによる不純物活性化とSiデバイス応用
- Si_3N_4/Si-rich Nitride(SRN)/Si_3N_4積層膜の電子捕獲特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- シリコン半導体デバイスの展望 (特集 次世代ICT社会を支える最先端デバイス製造システム)
- 強誘電体薄膜作製技術とプロセス技術
- 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
- 不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術
- DRAM絶縁膜用極薄PZT薄膜
- C1 トンネル音響顕微鏡によるPZT薄膜の観察(超音波非破壊評価)
- PA-5 歪イメージングによるPZT薄膜の観察(P.ポスターセッションA-概要講演・展示)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))