斎藤 慎一 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
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斉藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
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栗原 進
早稲田大学大学院理工学研究科
著作論文
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- リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Quantum Phase Transition in d = ∞ Hubbard Model
- シリコン超薄膜の電流注入発光
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))