高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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概要
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我々は高誘電率ゲート絶縁膜の移動度低下機構を調べてきたが,単一の散乱機構のみでは実験結果を定量的に説明出来ない事が判明した.そこで,種々の散乱機構を考慮した包括的な移動度模型を構築した.本模型には,固定電荷・表面凹凸・相分離の影響などが取り入れられており,シミレーション結果は実験データを定量的に再現出来る.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-09
著者
-
木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
平谷 正彦
(株)日立製作所 中央研究所
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斉藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
-
平谷 正彦
Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park
-
久本 大
(株)日立製作所中央研究所
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斉藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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久本 大
日立総合計画研究所
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斎藤 慎一
日立製作所中央研究所
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