Ru(C_5H_4C_2H_5)_2/THF原料を用いたCVD法によるRu電極の形成
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概要
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高誘電体キャバシタの電極形成技術としてRu膜のCVD成膜を検討している。Ru(C_5H_4C_2H_5)_2前駆体をTHF溶媒に溶解した希釈原料を用いる希釈溶媒搬送CVD法について,その成長機構を報告する。Ru膜の成長は,基板材料と成長表面に依存する。また,成膜機構は,成長表面に吸着する酸素量に支配される。Ruシード層を形成した表面の場合,SiO_2表面に比べてインキュノベーション時間を短縮することができる。これは,Ru表面が酸素を吸着しやすく,成長核の生成が早いためと考えられる。また,深孔内面に予めスパッタリング法で極薄Ruシード層を形成することによって,成膜速度が吸着酸素量に比例する低酸素分圧条件で,優れた被覆性をもつRu膜を形成することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-06
著者
-
嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
-
生田目 俊秀
(株)日立製作所日立研究所
-
平谷 正彦
(株)日立製作所 中央研究所
-
松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
-
平谷 正彦
Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
-
松井 裕一
(株)日立製作所 中央研究所
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