還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO_2膜の初期絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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還元雰囲気下でのSiゲート電極形成プロセスによるHfO_2/SiO_2中のシリサイド反応過程とその抑制方法を検討した。HfO_2/SiO_2領域におけるシリサイド反応は、HfO_2の還元が原因となり、引き起こされることが分かった。すなわち、HfO_2の還元により生成されたHfとSiゲートのSiとの反応である。HfO_2が還元されると酸素欠損が生成され、この欠損によりSiO_2がダメージを受け、SiO_2からSiが脱離する。界面SiO_2層では、この脱離したSiとHfが反応してHfシリサイドとなる。HfO_2表面近傍にAlを添加しHfAl0_x (Al: >28at.%)化すると表面の還元耐性が向上し、シリサイド反応が抑制される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-14
著者
-
水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
小川 有人
半導体MIRAI-ASET
-
生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
-
鳥海 明
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
鳥海 明
東京大学
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
-
水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
水林 亘
産業技術総合研究所
-
水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
鳥海 明
半導体MIRAI-産総研,東大工
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