UHV-C-AFMによるHfO_2/SiO_2スタック構造におけるリークスポットの直接観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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HfO_2/SiO_2スタツク構造に対して、超高真空環境でC-AFM観察を行うことにより、正、負どちらのテイップバイアスに対しても再現性のある観察を行うことができた。これは、超高真空環境の導入、カンチレバー、試料の脱ガス処理による、試料、ティップ表面の清浄化が達成されたために、観察中の針先、表面の変質を回避できたためであると考えている。正、負どちらのティップバイアスにおいてもリークは局所的なリークスポットとして電流像に現れた。これらのリークスポットの面密度はバイアスの大きさに対して指数関数的に増加する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-15
著者
-
喜多 浩之
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
鳥海 明
東京大学
-
弓野 健太郎
東京大学工学部
-
喜多 浩之
東京大学工学部
-
鳥海 明
東京大学工学部
-
弓野 健太郎
東京大学大学院工学系研究科
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