Si(100), (110), (111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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"基板面方位""面内電流方向""一軸応力の印加方向"の3点に関して、高移動度を実現する組み合わせについて検討した。また、異なる面方位や一軸応力の印加がMOS反転層移動度のユニバーサリティーに及ぼす効果についても検討し、それらが実効電界を定義するηの値を変化させることを実験的に示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-14
著者
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
喜多 浩之
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
弓野 健太郎
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
-
鳥海 明
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
入江 宏
東京大学大学院工学系研究科
-
喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
-
弓野 健太郎
東京大学大学院工学系研究科
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