喜多 浩之 | 東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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概要
関連著者
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喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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鳥海 明
東京大学大学院
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喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
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喜多 浩之
東京大学
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鳥海 明
東京大学
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鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
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西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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西村 知紀
東京大学
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李 忠賢
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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長汐 晃輔
東京大学
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長汐 晃輔
東京大学大学院マテリアル工学専攻
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弓野 健太郎
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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弓野 健太郎
東京大学大学院工学系研究科
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小宮山 宏
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
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吉田 まほろ
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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遠藤 康浩
東京大学工学部マテリアル工学科
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菰田 泰生
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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喜多 浩之
東大 大学院
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小宮山 宏
東大・工
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李 忠賢
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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山田 興一
信州大学繊維学部
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近藤 康彦
資源環境技術総合研究所
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小林 光雄
資源環境技術総合研究所
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稲葉 敦
資源環境技術総合研究所
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野田 優
東大院工
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稲葉 敦
(独)産業技術総合研究所 ライフサイクルアセスメント研究センター
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王 盛凱
東京大学
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吉田 まほろ
東京大学
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王 成凱
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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高橋 伸英
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学
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野田 優
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学
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松本 真太郎
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学
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森田 英基
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学
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近藤 康彦
産業技術総合研究所
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田畑 俊行
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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王 盛凱
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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王 盛凱
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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田畑 俊行
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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大友 順一郎
東京大学大学院 新領域創成科学研究科 環境システム学専攻
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稲葉 敦
産総研
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小宮山 宏
東京大学
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小宮山 宏
東京大学工学部化学システム工学科
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能村 英幸
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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山田 興一
信州大学繊維学部精密素材工学科
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横山 孝理
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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朴 昌範
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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鈴木 翔
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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高橋 俊岳
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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入江 宏
東京大学大学院工学系研究科
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弓野 健太郎
東京大学工学部
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温 慶茹
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
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大友 順一郎
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
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温 慶茄
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻
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小宮山 宏
東京大学 大学院 工学研究科 化学システム工学 専攻
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小宮山 宏
東大
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西道 典弘
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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小宮山 宏
東京大学工学部
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鈴木 翔
東京大学大学院
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喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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温 慶茄
東京大学大学院工学系研究科
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鳥海 明
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
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長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
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西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
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弓野 健太郎
東京大学
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喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻
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平井 悠久
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:JSTさきがけ
著作論文
- GeO2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上--Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御 (シリコン材料・デバイス)
- GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性(表示記録用有機材料およびデバイス)
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
- High-k/SiO_2界面に形成されるダイポールの起源(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 水素雰囲気下で蒸着することによるペンタセンTFTの移動度の向上(センサー,デバイス,一般)
- MOS反転層モビリティの高精度評価(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- YをドープしたHfO_2の相変化による誘電率の上昇
- Si(100), (110), (111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 銅-シリコン溶液を用いた太陽電池用多結晶シリコン薄膜の製造プロセスの設計とコスト評価
- 太陽光発電システムの導入によるCO_排出削減効果
- 太陽光発電システムのライフサイクルアセスメント
- GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Ge-CMOSに向けた界面の制御と課題
- Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 銅–シリコン溶液を用いた太陽電池用多結晶シリコン薄膜の製造プロセスの設計とコスト評価
- MOS反転層モビリティの高精度評価
- FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)