弓野 健太郎 | 東京大学大学院工学系研究科
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概要
関連著者
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喜多 浩之
東京大学
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鳥海 明
東京大学
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弓野 健太郎
東京大学大学院工学系研究科
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鳥海 明
東京大学大学院
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喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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弓野 健太郎
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
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鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
著作論文
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性(表示記録用有機材料およびデバイス)
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
- YをドープしたHfO_2の相変化による誘電率の上昇
- Si(100), (110), (111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- UHV-C-AFMによるHfO_2/SiO_2スタック構造におけるリークスポットの直接観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)