鳥海 明 | 東京大学大学院工学系研究科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
鳥海 明
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
-
喜多 浩之
東京大学
-
喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
西村 知紀
東京大学
-
長汐 晃輔
東京大学
-
長汐 晃輔
東京大学大学院マテリアル工学専攻
-
李 忠賢
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
弓野 健太郎
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
-
弓野 健太郎
東京大学大学院工学系研究科
-
遠藤 康浩
東京大学工学部マテリアル工学科
-
菰田 泰生
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
-
吉田 まほろ
東京大学
-
吉田 まほろ
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
李 忠賢
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
-
高橋 正志
半導体mirai-aset
-
太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
-
小川 有人
半導体MIRAI-ASET
-
生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
-
佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
門島 勝
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
王 盛凱
東京大学
-
村岡 浩一
東芝lsi基盤技術ラボラトリー
-
臼田 宏治
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
能村 英幸
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
王 成凱
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
伊藤 仁
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
横山 孝理
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
朴 昌範
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
鈴木 翔
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
高橋 俊岳
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
入江 宏
東京大学大学院工学系研究科
-
村岡 浩一
東芝 Lsi基盤技術ラボラトリー
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
-
伊藤 仁
(株)東芝ulsi研究所
-
長嶺 真
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
田畑 俊行
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
王 盛凱
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
西道 典弘
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
王 盛凱
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
-
田畑 俊行
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
-
鈴木 翔
東京大学大学院
-
鳥海 明
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
-
長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
-
西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
-
太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
著作論文
- 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高誘電体ゲート絶縁膜/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善
- GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性(表示記録用有機材料およびデバイス)
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
- High-k/SiO_2界面に形成されるダイポールの起源(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 水素雰囲気下で蒸着することによるペンタセンTFTの移動度の向上(センサー,デバイス,一般)
- MOS反転層モビリティの高精度評価(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100), (110), (111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 5.MOSトランジスタゲートスタック技術(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
- X線光電子分光時間依存測定による極薄シリコン酸化膜中の電荷分布解析
- 有限の厚さを持つ場としての界面のデザイン
- Ge-MOSFETの可能性と課題
- 高誘電率ゲート絶縁膜技術の課題と動向
- 100nmトランジスタ・デバイスの動向と平坦化CMPへの期待
- 高誘電体ゲート絶縁膜の開発と材料科学
- AFMによるラジカル酸化膜/Si界面平坦化効果の検討
- ゲート酸化膜薄膜化の課題と展望
- Ge-CMOSに向けた界面の制御と課題
- GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証
- 4族系非シリコンFETの可能性と課題 : ゲルマニウムとグラフェンの場合