村岡 浩一 | 東芝 Lsi基盤技術ラボラトリー

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概要

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関連著者

• 村岡 浩一

  東芝 Lsi基盤技術ラボラトリー

• 鳥海 明

  東京大学大学院

• 松下 大介

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  東芝lsi基盤技術ラボラトリー

• 加藤 弘一

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 佐久間 究

  東芝

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 加藤 弘一

  東芝基礎研

• 鳥海 明

  東京大学

• 鳥海 明

  東京大学大学院工学系研究科

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  東芝

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 加藤 弘一

  東芝R&Dセンター

• 加藤 弘一

  東芝R&Dセンター

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著作論文

• 高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
• X線光電子分光時間依存測定による極薄シリコン酸化膜中の電荷分布解析

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