三谷 祐一郎 | 芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリーの論文著者

関連著者

• 三谷 祐一郎

  芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 藤田 忍

  東芝研究開発センター

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝先端半導体デバイス研究所

• 大場 竜二

  東芝研究開発センター

• 杉山 直治

  芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー

• 大場 竜二

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大場 竜二

  東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

• 藤田 忍

  (株)東芝

• 藤田 忍

  大阪市立大学

• 山口 豪

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 松下 大介

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 中崎 靖

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 佐久間 究

  東芝

• 関根 克行

  東芝 セミコンダクター社

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 大場 竜二

  芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 藤田 忍

  芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 山口 豪

  (株)東芝 研究開発センター

• 江口 和弘

  (株)東芝

• 中崎 靖

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 松下 大介

  (株)東芝研究開発センター

• 村岡 浩一

  (株)東芝研究開発センター

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー

• 藤田 忍

  (株)東芝研究開発センター

• 大場 竜二

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 福島 伸

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 関根 克行

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 高柳 万里子

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 加藤 弘一

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 菊地 祥子

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 佐久間 究

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 加藤 弘一

  東芝基礎研

• 関根 克行

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 飯島 良介

  東芝

• 山口 豪

  株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 平野 泉

  株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 飯島 良介

  株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 江口 和弘

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 三谷 祐一郎

  株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 福島 伸

  株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  東芝 Lsi基盤技術ラボラトリー

• 平野 泉

  (株)東芝研究開発センター

• 福島 伸

  東芝 研開セ

• 松澤 一也

  東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 松澤 一也

  (株)東芝 ULSI研究所

• 大場 竜二

  東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所

• 三谷 祐一郎

  東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所

• 杉山 直治

  東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所

• 藤田 忍

  東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所

• 松澤 一也

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 福島 伸

  (株)東芝

• 中崎 靖

  (株)東芝

• 中崎 靖

  東芝

• 綱島 祥隆

  (株)東芝

• 加藤 弘一

  東芝R&Dセンター

• 加藤 弘一

  東芝R&Dセンター

もっと見る 閉じる

著作論文

• 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
• HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子(不揮発メモリと関連技術及び一般)
• 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
• 二重接合トンネルを用いた35nm浮遊ゲート型MOSFETメモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
• 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
• 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ACストレス下のNBTIに及ぼす極薄SiON膜中窒素プロファイルの影響
• ACストレス下でのNBTIに及ぼすSiON中窒素プロファイルの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 極薄ゲート絶縁膜における負バイアス温度不安定性とその回復現象(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク