松澤 一也 | (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

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• 松澤 一也

  (株)東芝 ULSI研究所

• 松澤 一也

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 百瀬 寿代

  (株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社:広島大学

• 松澤 一也

  東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 東 悠介

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 百々 信幸

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 大黒 達也

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 百瀬 寿代

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 東 悠介

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

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• 東 悠介

  株式会社東芝

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著作論文

• ACストレス下のNBTIに及ぼす極薄SiON膜中窒素プロファイルの影響
• デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解

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