松澤 一也 | (株)東芝 ULSI研究所

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概要

• 同名の論文著者
• (株)東芝 ULSI研究所の論文著者

関連著者

• 松澤 一也

  (株)東芝 ULSI研究所

• 吉見 信

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 寺内 衛

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 寺内 衛

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 西山 彰

  (株)東芝研究開発センター

• 百瀬 寿代

  (株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター

• 有隅 修

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 吉見 信

  SOITEC Asia

• 松澤 一也

  東芝 研究開発センター

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社:広島大学

• 松澤 一也

  東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 執行 直之

  (株)東芝 ULSI研究所

• 松澤 一也

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 有隅 修

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 吉見 信

  東芝 Soc研開セ

• 東 悠介

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 百々 信幸

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 大黒 達也

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 百瀬 寿代

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 東 悠介

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 東 悠介

  株式会社東芝

• 西山 彰

  (株)東芝 研究開発センター

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 竹野 史郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 大黒 達也

  (株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター

• 鈴木 健

  (株)東芝 ソフトウェアプロダクト部

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社

• 三谷 祐一郎

  芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 竹野 史郎

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 竹野 史郎

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

• 百瀬 寿代

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 鈴木 健

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

• 百々 信幸

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター高性能CMOSデバイス技術開発部

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

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著作論文

• ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
• SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
• ACストレス下のNBTIに及ぼす極薄SiON膜中窒素プロファイルの影響
• デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解

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