大黒 達也 | 東芝セミコンダクター社:広島大学

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概要

• 同名の論文著者
• 東芝セミコンダクター社:広島大学の論文著者

関連著者

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社:広島大学

• 大黒 達也

  (株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社

• 百瀬 寿代

  (株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター

• 百瀬 寿代

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 大黒 達也

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 百瀬 寿代

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 吉富 崇

  東芝セミコンダクター社

• 小島 健嗣

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 勝又 康弘

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 百瀬 寿代

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 勝又 康弘

  (株)東芝セミコンダクタ社

• 中村 新一

  (株)東芝

• 岩井 洋

  (株)東芝

• 吉富 崇

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 百々 信幸

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 東 悠介

  株式会社東芝

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 佐藤 力

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 林 久貴

  (株)東芝セミコンダクター社

• 井納 和美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 永野 剛之

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 新居 英明

  (株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 佐藤 力

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 平野 智之

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 幡野 正之

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 竹中 圭一

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 石行 一貴

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 井田 和彦

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 永野 剛之

  東芝セミコンダクター社

• 森藤 英治

  (株)東芝

• Kimijima H.

  (株)東芝

• 森本 豊太

  (株)東芝

• 松澤 一也

  東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 大黒 達也

  株式会社東芝

• 三浦 道子

  広島大学HiSIM研究センター

• 渡辺 健

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 中村 新一

  (株)東芝研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 藤原 実

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 新居 英明

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 井納 和美

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 藤原 実

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 高柳 万里子

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 清水 敬

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 中村 新一

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 清水 敬

  プロセス技術推進センター

• 清水 敬

  東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 綱島 祥隆

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 佐藤 力

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 幡野 正之

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 竹中 圭一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 林 久貴

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 石行 一貴

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 平野 智之

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 井田 和彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 大黒 達也

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 飯島 良介

  (株)東芝研究開発センター

• 飯島 良介

  東芝

• 斎藤 雅伸

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 岡山 康則

  東芝セミコンダクタ一社

• 松永 健

  東芝セミコンダクタ一社

• 石丸 一成

  東芝セミコンダクタ一社

• 松澤 一也

  (株)東芝 ULSI研究所

• 三浦 道子

  広島大学

• 小野 瑞成

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 三浦 道子

  広島大学hisim研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 清水 敬

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 高柳 万里子

  東芝セミコンダクター社

• 東 悠介

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 井納 和美

  株式会社東芝

• 東 悠介

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 大見 俊一郎

  東京工業大学

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大見 俊一郎

  東京工業大学総合理工学研究科

• 大見 俊一郎

  東京工業大学・総合理工学研究科

• 綱島 祥隆

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 新居 英明

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 林 久貴

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 青木 伸俊

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 大黒 達也

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 井納 和美

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 水島 一郎

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 小野 瑞城

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 小野 瑞成

  東芝研究開発センター

• 斎藤 雅伸

  東芝研究開発センター

• 吉富 崇

  東芝研究開発センター

• Fiegna Claudio

  ボローニャ大学

• 大黒 達也

  東芝研究開発センター

• 百瀬 寿代

  東芝研究開発センター

• 岩井 洋

  東芝研究開発センター

• 大見 俊一郎

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 川崎 敦子

  東芝セミコンダクター社

• 松澤 一也

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 佐俣 秀一

  東芝セミコンダクター社

• 石川 哲也

  東芝セミコンダクター社

• 木村 智久

  東芝セミコンダクター社

• 岩井 洋

  東京工業大学

• 百々 信幸

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター高性能CMOSデバイス技術開発部

• 百々 信幸

  株式会社東芝

• 山下 浩史

  株式会社東芝

• 佐々木 広器

  株式会社東芝

• 吉田 毅

  株式会社東芝

• 井納 和美

  株式会社 東芝

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著作論文

• 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
• SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
• ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成
• SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
• Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• (110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
• 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
• 0.1μm以下MOSFETの高性能化検討(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
• マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
• CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
• CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
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• 0.1μm領域CMOSFETに於ける素子の電気的特性の基板不純物濃度依存性
• 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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• MOSFETのスケーリングとアナログ/RF特性 : 微細MOSはアナログ/RFにとって味方なのか(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
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• コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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• 高抵抗基板上に形成された高性能アナログ、デジタル混載デバイス
• 高画質CMOSイメージセンサの実現に有効な3次元デバイスシミュレータ
• デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解
• 転送ゲート負バイアス動作における黒沈み不良の解析(イメージセンサ,カメラ信号処理,画像評価関連技術,及び2013IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)

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