飯島 良介 | (株)東芝研究開発センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
飯島 良介
(株)東芝研究開発センター
-
飯島 良介
東芝
-
渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
-
石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
石内 秀美
(株)東芝
-
上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
-
井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
-
上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
-
西山 彰
(株)東芝研究開発センター
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
井野 恒洋
東芝
-
小山 正人
(株)東芝
-
鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
-
綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
-
綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
小野 瑞城
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社
-
山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
-
百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
綱島 祥隆
(株)東芝
-
大黒 達也
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
-
百瀬 寿代
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
-
西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
-
江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
関根 克行
東芝 セミコンダクター社
-
江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
-
江口 和弘
(株)東芝
著作論文
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONゲート絶縁膜のヒステリシスに寄与するトラップの解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))