山口 豪 | (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

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• 山口 豪

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• 山口 豪

  (株)東芝 研究開発センター

• 鈴木 正道

  (株)東芝 研究開発センター

• 小山 正人

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• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センター

• 関根 克行

  東芝 セミコンダクター社

• 小山 正人

  東芝 研究開発センター

• 小山 正人

  (株)東芝

• 飯島 良介

  東芝

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 富田 充裕

  株式会社東芝研究開発センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 上牟田 雄一

  半導体MIRAI-ASET

• 富田 充裕

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 福島 伸

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝先端半導体デバイス研究所

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 飯島 良介

  (株)東芝研究開発センター

• 小池 正浩

  (株)東芝研究開発センター

• 井野 恒洋

  (株)東芝研究開発センター

• 上牟田 雄一

  (株)東芝研究開発センター

• 関根 克行

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 西山 彰

  (株)東芝研究開発センター

• 小野 瑞城

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 平野 泉

  (株)東芝研究開発センター

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 福島 伸

  東芝 研開セ

• 三谷 祐一郎

  芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 福島 伸

  (株)東芝

• 江口 和弘

  (株)東芝

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー

• 井野 恒洋

  東芝

• 綱島 祥隆

  (株)東芝

• 三谷 祐一郎

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• 西山 彰

  (株)東芝 研究開発センター

• 松下 大介

  (株)東芝研究開発センター

• 清水 達雄

  (株)東芝研究開発センター

• 松下 大介

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• 高島 章

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• 西川 幸江

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• 吉木 昌彦

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 関根 克行

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 高柳 万里子

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 金子 明生

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 佐藤 基之

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部

• 佐藤 基之

  東芝 セミコンダクター社

• 山口 豪

  株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 平野 泉

  株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 飯島 良介

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• 江口 和弘

  株式会社東芝セミコンダクター社

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• 犬宮 誠治

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  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

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• 高島 章

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著作論文

• LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜
• ランタンアルミネート直接接合ゲート絶縁膜
• HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
• 次世代高誘電率ゲート絶縁膜HfSiONのしきい値劣化機構と寿命予測技術
• 先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜 (特集:酸化物界面の電子状態・構造)
• Hf-シリケート高誘電体ゲート絶縁膜の絶縁破壊機構

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