江口 和弘 | (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センターの論文著者

関連著者

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  (株)東芝

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 綱島 祥隆

  (株)東芝

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 金子 明生

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 関根 克行

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 関根 克行

  東芝 セミコンダクター社

• 金子 明生

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 青木 伸俊

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

• 青木 伸俊

  (株)東芝soc開発センター

• 金村 貴永

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 金村 貴永

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 須黒 恭一

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 八木下 淳史

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 渡辺 健

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センター

• 佐藤 基之

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部

• 佐藤 基之

  東芝 セミコンダクター社

• 中崎 靖

  (株)東芝

• 中崎 靖

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 小山 正人

  (株)東芝

• 窪田 壮男

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 宮野 清孝

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 松下 大介

  (株)東芝研究開発センター

• 村岡 浩一

  (株)東芝研究開発センター

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー

• 近藤 正樹

  (株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター

• 松下 貴哉

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 山口 豪

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 佐々木 貴彦

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大塚 伸朗

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 伊藤 早苗

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 松下 大介

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 宮野 清孝

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 村岡 浩一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 佐々木 貴彦

  株式会社東芝

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 伊藤 早苗

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 八木下 淳史

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 伊藤 早苗

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 小野 高稔

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 岩出 健次

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 窪田 壮男

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 矢橋 勝典

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 川崎 博久

  東芝アメリカ電子部品社

• 八木下 淳史

  東芝アメリカ電子部品社

• 石丸 一成

  東芝アメリカ電子部品社

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 西山 彰

  (株)東芝研究開発センター

• 平野 泉

  (株)東芝研究開発センター

• 犬宮 誠治

  東芝

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 小山 正人

  東芝 研究開発センター

• 大塚 伸朗

  (株)東芝 Soc研究開発センター

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 大塚 伸朗

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 山口 豪

  (株)東芝 研究開発センター

• 金村 貴永

  半導体研究開発センター:株式会社東芝

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 水島 一郎

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 福井 大伸

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 斎藤 正樹

  ソニー(株)

• 上牟田 雄一

  半導体MIRAI-ASET

• 山崎 博之

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 福井 大伸

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 小島 健嗣

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社

• 青山 知憲

  (株)東芝セミコンダクター社

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝先端半導体デバイス研究所

• 佐久間 究

  東芝

• 菊地 祥子

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 佐久間 究

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 長谷川 英司

  Necエレクトロニクス(株)

• 飯島 良介

  (株)東芝研究開発センター

• 小池 正浩

  (株)東芝研究開発センター

• 井野 恒洋

  (株)東芝研究開発センター

• 上牟田 雄一

  (株)東芝研究開発センター

• 丹羽 祥子

  (株)東芝

• 鎌田 善己

  (株)東芝

• 飯島 良介

  東芝

• 鎌田 善己

  東芝

• 小山 正人

  東芝

• 今井 馨太郎

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 渡部 宏治

  NECエレクトロニクス(株)

• 高 大為

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 今井 馨太郎

  (株)東芝、研究開発センター、ulsi研究所

• 江口 和弘

  株式会社 東芝

• 清利 正弘

  株式会社 東芝

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー

• 井野 恒洋

  東芝

• 渡部 宏治

  Necエレクトロニクス

• 清利 正弘

  (株)東芝、研究開発センター、ULSI研究所

• 西山 彰

  (株)東芝 研究開発センター

もっと見る 閉じる

著作論文

• 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• HfSiON-CMOSFETの高性能・高信頼性に向けたHf濃度の指針(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
• 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
• TEOSとtert-butoxideを用いたZr/Hfシリケイト薄膜の熱CVD
• CVD法によるDRAMキャパシタ用(Ba,Sr)TiO_3薄膜の形成

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク