青山 知憲 | (株)東芝セミコンダクター社
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概要
関連著者
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
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東芝 セミコンダクター社
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部
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株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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渡辺 竜太
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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ソニー株式会社
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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長島 直樹
ソニー株式会社
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岡山 康則
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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齋藤 友博
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大石 周
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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中嶋 一明
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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小野 高稔
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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中山 和宏
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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渡辺 竜太
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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英保 亜弓
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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菰田 泰生
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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木村 泰己
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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竹川 陽一
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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青山 知憲
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大島 享介
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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齋藤 正樹
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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岩井 正明
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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山田 誠司
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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松岡 史倫
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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大野 圭一
ソニー株式会社
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小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大島 享介
ソニー株式会社
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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松岡 史倫
東芝
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木村 泰己
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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後藤 正和
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セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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川中 繁
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豊島 義明
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佐々木 俊行
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長友 浩二
東芝
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吉水 康人
(株)東芝セミコンダクター社
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(株)東芝セミコンダクター社
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辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
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市原 玲華
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福島 崇
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野町 映子
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東芝
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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市原 玲華
(株)東芝 研究開発センター
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後藤 正和
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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中崎 靖
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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(株)東芝 研究開発センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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長谷川 英司
Necエレクトロニクス(株)
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小山 正人
東芝
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古賀 淳二
東芝 研究開発センター
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土屋 義規
東芝 研究開発センター
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吉木 昌彦
東芝 研究開発センター
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青山 知憲
東芝 セミコンダクター社
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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NECエレクトロニクス(株)
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江口 和弘
(株)東芝
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中崎 靖
(株)東芝
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中崎 靖
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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綱島 祥隆
(株)東芝
著作論文
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム