後藤 正和 | 東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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概要
関連著者
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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後藤 正和
徳島大学外科
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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犬宮 誠治
東芝
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辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
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辰村 光介
(株)東芝 研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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長友 浩二
東芝
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市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
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市原 玲華
(株)東芝 研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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中嶋 一明
(株)東芝
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後藤 正和
(株)東芝セミコンダクター社
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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後藤 正和
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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樋口 恵一
筑波大学電子・物理工学専攻
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鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
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佐々木 俊行
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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小野田 裕之
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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佐々木 俊行
(株)東芝セミコンダクター社
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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辰村 光介
東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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山部 紀久夫
筑波大学
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小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
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上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
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福島 崇
東芝
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野町 映子
東芝
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小野田 裕之
東芝
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吉水 康人
東芝
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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東 篤志
東芝
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吉水 康人
(株)東芝セミコンダクター社
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福島 崇
(株)東芝セミコンダクター社
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野町 映子
(株)東芝セミコンダクター社
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長友 浩二
東芝セミコンダクター社
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中嶋 一明
東芝セミコンダクター社
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関根 克行
東芝セミコンダクター社
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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上殿 明良
筑波大学数理物質科学研究科
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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知京 豊裕
物材機構
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後藤 正和
筑波大学数理物質科学研究科
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樋口 恵一
筑波大学数理物質科学研究科
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池内 恒平
筑波大学数理物質科学研究科
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ABUDUL Hamid
物質材料研究機構(NIMS)
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山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
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北島 洋
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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三橋 理一郎
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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堀内 淳
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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山部 紀久夫
筑波大学電子・物理工学専攻
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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堀内 淳
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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三橋 理一郎
(株)半導体先端テクノロジーズ
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石原 貴光
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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犬宮 誠治
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
-
中嶋 一明
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
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金子 明生
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
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木下 敦寛
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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石原 貴光
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
大平 俊行
産業技術総合研究所
著作論文
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 22nm世代システムLSIに向けたhigh-k/メタルゲートデバイス技術