有門 経敏 | 半導体先端テクノロジーズ(Selete)

スポンサーリンク

概要

• 有門 経敏の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 半導体先端テクノロジーズ(Selete)の論文著者

関連著者

• 有門 経敏

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 有門 経敏

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大塚 文雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 大塚 文雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 佐々木 隆興

  半導体先端テクノロジーズ(selete)第一研究部

• 峰地 輝

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 安平 光雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 安平 光雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)第一研究部

• 峰地 輝

  半導体先端テクノロジーズ(selete)第一研究部

• 佐々木 隆興

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 知京 豊裕

  物質材料研究機構(NIMS)

• 知京 豊裕

  物材機構

• 北島 洋

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 北島 洋

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 田村 泰之

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 小崎 浩司

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)第一研究部

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 山田 啓作

  物質材料研究機構(NIMS)

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 鈴木 恵友

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)生産技術研究部

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 鈴木 良一

  産総研

• 大平 俊行

  産総研

• 上殿 明良

  筑波大学数理物質科学研究科

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 後藤 正和

  筑波大学数理物質科学研究科

• 樋口 恵一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 池内 恒平

  筑波大学数理物質科学研究科

• ABUDUL Hamid

  物質材料研究機構(NIMS)

• 三橋 理一郎

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 堀内 淳

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 鳥居 和功

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 樋口 恵一

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 後藤 正和

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 堀内 淳

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 青山 知憲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター

• 山部 紀久夫

  筑波大学物理工学系

• Boero M.

  筑波大学物理学系

• 渡辺 俊成

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 三橋 理一郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 泉 直希

  半導体先端テクノロジーズ(selete)第一研究部

• 大平 俊行

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 後藤 正和

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ

• 森 重哉

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)生産技術研究部

• 中川 義和

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)第一研究部

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 有門 経敏

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学系

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

もっと見る 閉じる

著作論文

• 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
• Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 半導体の微細化と精密工学への期待
• 300mmCu-CMPの技術開発
• 低スタンバイ電力用途HfSiONトランジスタの高集積化
• 低消費電力対応65nmノードCMOSプロセス : LOP対応極浅接合技術、LSTP対応HfSiONトランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 低消費電力対応65nmノードCMOSプロセス : LOP対応極浅接合技術、LSTP対応HfSiONトランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 低消費電力用途を目的とした極浅接合を有する65nmノードCMOSプロセス(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• ゲート絶縁膜国際ワークショップ(IWGI 2003)会合報告
• 半導体産業の動向と製造装置への要望(WS.3 半導体産業に機械工学はどう貢献するか?)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク