北島 洋 | 半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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概要
関連著者
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北島 洋
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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知京 豊裕
物材機構
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有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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山部 紀久夫
筑波大学
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有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
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堀内 淳
(株)半導体先端テクノロジーズ
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三橋 理一郎
(株)半導体先端テクノロジーズ
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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上殿 明良
筑波大学数理物質科学研究科
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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後藤 正和
筑波大学数理物質科学研究科
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樋口 恵一
筑波大学数理物質科学研究科
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池内 恒平
筑波大学数理物質科学研究科
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ABUDUL Hamid
物質材料研究機構(NIMS)
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三橋 理一郎
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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堀内 淳
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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樋口 恵一
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター
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山部 紀久夫
筑波大学物理工学系
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Boero M.
筑波大学物理学系
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大路 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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武藤 彰良
(株)半導体先端テクノロジーズ
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川原 孝昭
(株)半導体先端テクノロジーズ
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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吉野 明
日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所
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渡辺 かおり
日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所
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小此木 堅祐
日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所
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北島 洋
日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所
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小此木 堅祐
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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大平 俊行
産業技術総合研究所
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
著作論文
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- SIMOX基板に含まれる金属不純物の混入原因