鳥居 和功 | (株)半導体先端テクノロジーズ
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概要
関連著者
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
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筑波大学数理物質科学研究科
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(株)半導体先端テクノロジーズ
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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広島大学大学院 先端物質科学研究科
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山田 啓作
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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物材機構
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半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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知京 豊裕
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(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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(株)半導体先端テクノロジーズ
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鈴木 基史
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鈴木 基史
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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東京エレクトロン株式会社
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京都大学大学院工
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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京都大学大学院工
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京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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赤坂 泰志
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学
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有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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川原 孝昭
(株)半導体先端テクノロジーズ
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三橋 理一郎
(株)半導体先端テクノロジーズ
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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中嶋 薫
京大工
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木村 健二
京大工
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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中嶋 薫
京大院工
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木村 健二
京大院工
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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中山 恒義
北大院工
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
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舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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大塚 文雄
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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千葉大学理学部
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筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中村 源治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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太田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター
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山部 紀久夫
筑波大学物理工学系
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Boero M.
筑波大学物理学系
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大学
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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武藤 彰良
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大田 晃生
広島大・先端物質科学研究科
-
中川 博
広島大・先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大・先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大・先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大・先端物質科学研究科
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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川原 孝明
(株)半導体先端テクノロジーズ high-κ 要素プロセスグループ
-
高田 仁志
(株)半導体先端テクノロジーズ high-κ 要素プロセスグループ
-
高橋 正志
(株)半導体先端テクノロジーズ high-κ 要素プロセスグループ
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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Ahmet P.
物質・材料研究機構
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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中山 隆史
干葉大理
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中山 隆史
千葉大学理学研究料
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
著作論文
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子分光分析によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfAlO_x/下地膜界面反応抑制の検討