知京 豊裕 | 物質・材料研究機構
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概要
関連著者
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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吉武 道子
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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吉武 道子
物質・材料研究機構
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吉武 道子
「応用物理」 編集委員会
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吉武 道子
金材技研
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知京 豊裕
物材機構
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柳生 進二郎
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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柳生 進二郎
筑波大学物理工学系
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柳生 進二郎
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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吉武 道子
物質材料研究機構 半導体材料研究センター
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柳生 進二郎
物質・材料研究機構manaナノエレクトロニクス材料ユニット
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柳生 進二郎
物質・材料研究機構 ナノエレクトロニクス材料ユニット
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吉武 道子
(独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター
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吉武 道子
科学技術庁金属材料技術研究所
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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吉武 道子
金属材料技術研究所
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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渡部 平司
大阪大学
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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山部 紀久夫
筑波大学
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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Ahmet P.
物質・材料研究機構
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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赤坂 泰志
Selete
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CHANG K.-S.
National Institute for Standards and Technology
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奈良 安雄
Selete
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山下 良之
物質・材料研究機構 SPring-8
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細井 卓治
大阪大学
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鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
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川崎 雅司
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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白石 賢二
筑波大院数物
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足立 哲也
物質・材料研究機構
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中山 恒義
北大院工
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近藤 剛
東京工業大学
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近藤 剛
東工大院 像情報工学研究施設
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宗片 比呂夫
東工大院 像情報工学研究施設
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宗片 比呂夫
東工大像情報
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アヘメト パールハット
物質・林料研究機構物質研
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小原 義久
東工大院
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羽根田 茂
東工大院
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金 兌映
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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松本 祐司
東京工業大学応用セラミックス研究所
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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赤坂 泰志
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中岡 高司
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中村 源治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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太田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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大毛利 健治
早稲田大学
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中島 清美
物質・材料研究機構
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石川 恵子
物質・材料研究機構
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杉田 義博
半導体先端テクノロジーズ
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宗片 比呂夫
東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設
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宗片 比呂夫
東工大・像情報
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宗片 比呂夫
東大大工
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大学
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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松本 祐司
東京工大 応用セラミックス研
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鯉沼 秀臣
東京大学新領域創成科学研究科
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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小椋 厚志
明治大学理工学部
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高橋 竜太
東京大学物性研究所ナノスケール物性部門
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高橋 竜太
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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KYUNG SUNG
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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鯉沼 秀臣
CREST-JST
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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松本 祐司
東京工業大学 応用セラミックス研究所
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大石 知司
芝浦工業大学 工学部 応用化学科
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中山 隆史
干葉大理
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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中山 隆史
千葉大学理学研究料
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山田 博之
芝浦工業大学工学部物質系応用化学科
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生田目 俊秀
物質・材料研究機構MANAファウンドリ&MANA半導体材料グループ
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大井 暁彦
物質・材料研究機構MANAファウンドリ&MANA半導体材料グループ
-
生田目 俊秀
物質・材料研究機構manaファウンドリ&mana半導体材料グループ
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構manaファウンドリ&mana半導体材料グループ
-
大石 知司
芝浦工業大学工学部物質系応用化学科
-
大井 暁彦
物質・材料研究機構manaファウンドリ&mana半導体材料グループ
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Ahmet Parhat
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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Yun Kyung
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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生田目 俊秀
明治大学理工学研究科:物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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小橋 和義
明治大学理工学研究科
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長田 貴弘
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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知京 豊裕
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
小橋 和義
明治大学理工学研究科:物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
山下 良之
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
小椋 厚志
明治大学理工学研究科
著作論文
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- GaAs-Feグラニュラー膜のナノ構造同定と光磁性
- 光電子収量分光における2次電子閾値の検討
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- コハク酸のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- グルタル酸の Cu(110)表面での吸着構造
- N-Acetylglycine のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- Cu(110)表面でのハイドロムコン酸の吸着状態
- Tri-Phase Epitaxyによる高温超伝導,単結晶薄膜の作製
- ITO/HfO_2MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ショットキーバリア高さ制御のための元素添加によるアルミナ-金属界面結合変化の定量的予測式
- アルミナ-金属界面の結合を介する原子の種類を予測する一般式
- 熱力学計算によるチオール・カルボン酸の様々な無機基板表面への化学吸着の考察
- HfO_2/Ge界面へのルチル型TiO_2挿入によるGeO_x生成の抑制(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)