渡部 平司 | 大阪大学
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概要
関連著者
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渡部 平司
大阪大学
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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細井 卓治
大阪大学
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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山部 紀久夫
筑波大学
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中島 清美
物質・材料研究機構
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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赤坂 泰志
Selete
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吉武 道子
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHANG K.-S.
National Institute for Standards and Technology
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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奈良 安雄
Selete
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小須田 求
キヤノンアネルバ株式会社
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小須田 求
キヤノンアネルバ
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有村 拓晃
大阪大学
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奥 雄大
大阪大学
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志村 考功
大阪大学
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北野 尚武
大阪大学
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内藤 裕一
産業技術総合研究所
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山口 述夫
キヤノンアネルバ
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大院数物
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宮崎 誠一
広大院先端研
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志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
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足立 哲也
物質・材料研究機構
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吉武 道子
(独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター
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宮崎 誠一
広島大学 工学部
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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杉田 義博
(株)半導体先端テクノロジーズ
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中島 清美
物質材料機構
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知京 豊裕
物質材料機構
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網中 敏夫
(株)半導体先端テクノロジーズ
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黒澤 悦男
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大毛利 健治
早稲田大学
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石川 恵子
物質・材料研究機構
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杉田 義博
半導体先端テクノロジーズ
-
網中 敏夫
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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宮崎 誠一
広大
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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奥 雄大
大阪大学大学院工学研究科
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有村 拓晃
大阪大学大学院工学研究科
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北野 尚武
大阪大学大学院工学研究科
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吉武 道子
金属材料技術研究所
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吉武 道子
物質・材料研究機構
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吉武 道子
「応用物理」 編集委員会
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吉武 道子
科学技術庁金属材料技術研究所
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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門島 勝
ルネサステクノロジ
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Ahmet P.
物質・材料研究機構
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吉武 道子
物質材料研究機構 半導体材料研究センター
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吉武 道子
金材技研
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Ahmet Parhat
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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大田 晃生
広島大学 大学院先端物質科学研究科
著作論文
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 真空一貫原子制御PVDプロセスによるTiO_2/HfSiO/SiO_2積層構造 High-k 絶縁膜の作製と電気特性評価
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御