門島 勝 | (株)半導体先端テクノロジーズ
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概要
関連著者
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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森 大樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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吉永 博路
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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門島 勝
ルネサステクノロジ
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広大院先端研
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宮崎 誠一
広大
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大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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知京 豊裕
物材機構
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渡部 平司
大阪大学
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
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栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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宮崎 誠一
広島大学 工学部
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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杉田 義博
(株)半導体先端テクノロジーズ
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中島 清美
物質材料機構
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知京 豊裕
物質材料機構
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網中 敏夫
(株)半導体先端テクノロジーズ
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黒澤 悦男
(株)半導体先端テクノロジーズ
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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中島 清美
物質・材料研究機構
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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白石 賢二
筑波大学
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諸岡 哲
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
網中 敏夫
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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三瀬 信行
日立製作所
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小野 哲郎
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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大田 晃生
広島大学 大学院先端物質科学研究科
著作論文
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和