大路 譲 | 半導体先端テクノロジーズ

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概要

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関連著者

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 杉田 義博

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ (selete)

• 白石 賢二

  筑波大学

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物材機構

• 渡部 平司

  大阪大学

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 宮崎 誠一

  広島大学 工学部

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 鬼沢 岳

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 加藤 慎一

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 青山 敬幸

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 宮崎 誠一

  広大

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 蓮沼 隆

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 細井 卓治

  大阪大学

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 足立 哲也

  物質・材料研究機構

• 門島 勝

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 中島 清美

  物質材料機構

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 網中 敏夫

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 黒澤 悦男

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 蓮沼 隆

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 石川 恵子

  物質・材料研究機構

• 杉田 義博

  半導体先端テクノロジーズ

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 蓮沼 隆

  筑波大学 電子・物理工学専攻

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 知京 豊裕

  物材機構:comet-nims:科技機構戦略

• 門島 勝

  ルネサステクノロジ

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 大田 晃生

  広島大学 大学院先端物質科学研究科

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著作論文

• HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
• メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 高性能,低消費電力を目指すCMOSデバイス構造の今後の発展(極限の微細化を目指す半導体プロセス技術)

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