佐藤 基之 | (株)半導体先端テクノロジーズ
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概要
関連著者
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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半導体先端テクノロジーズ(selete)
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半導体先端テクノロジーズ
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筑波大学数理物質科学研究科
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杉田 義博
(株)半導体先端テクノロジーズ
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
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白石 賢二
筑波大院数物
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宮崎 誠一
広大院先端研
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栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
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宮崎 誠一
広島大学 工学部
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山部 紀久夫
筑波大学
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山部 紀久夫
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
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白石 賢二
筑波大学
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諸岡 哲
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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田村 知大
筑波大学数理物質科学研究科
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蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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宮崎 誠一
広大
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内藤 達也
筑波大学数理物質科学研究科
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蓮沼 隆
筑波大学数理物質科学研究科
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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門島 勝
ルネサステクノロジ
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三瀬 信行
日立製作所
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小野 哲郎
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
著作論文
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- High-k ゲート絶縁膜の信頼性
- しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS