しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2008-07-10
著者
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
-
栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
-
諸岡 哲
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
門島 勝
ルネサステクノロジ
-
三瀬 信行
日立製作所
-
小野 哲郎
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
関連論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ta_2O_5キャパシタを搭載したDRAM用の低温プロセス
- 23aYH-11 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
- ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- 高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ)
- 高速/高信頼性 130nm-node MRAM
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- Sub-50nm MOSFETにおけるポリゲート起因キャリア分布ばらつきの抑制(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 大容量メモリ混載システムLSI用低温プロセスの開発(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高性能,低消費電力を目指すCMOSデバイス構造の今後の発展(極限の微細化を目指す半導体プロセス技術)
- 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- HfO_2ゲート絶縁膜特性の前処理依存性
- 21世紀に向けた半導体メモリの技術課題とロードマップ
- 高集積DRAM用CVD-Ta_2O_5キャパシタ技術
- ゲートLERがsub-50nm N-MOSFETのextension不純物分布へ及ぼす影響の直接評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極薄Si直接窒化・酸化ゲート絶縁膜の評価
- SiO_2中のB、P、As、Sbの拡散の雰囲気依存(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
- HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 極薄HfSiONゲート絶縁膜の絶縁破壊時間の決定
- Sub-100nm MOSFETのエクステンション領域におけるキャリア分布評価(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- メタルゲート/高誘電率絶縁膜スタックの最前線
- 先端CMOS向けHigh-k/メタルゲートスタック技術,AWAD2006)
- 先端CMOS向けHigh-k/メタルゲートスタック技術
- 先端CMOS向け High-k/ メタルゲートスタック技術
- EBブロック露光におけるマスクバイアス条件
- 部分一括露光における近接効果補正
- 短波長光励起反応を利用したエッチング技術
- 光刺激脱離によるSi上の酸化物の低温除去とSiホモエピタキシー
- 熱酸化シリコンの照射損傷による構造変化
- NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 斜めビット線配置COBスタックキャパシタ1GDRAMセル
- High-k ゲート絶縁膜の信頼性
- ディープサブミクロンCMOSインバータの遅延時間削減への検討
- 1GビットDRAM用極薄Ta_2O_5膜形成技術
- しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS
- ロジックとの混載に適した反転スタックキャパシタ(RSTC)DRAMセル構造の提案
- 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和