SiO_2中のB、P、As、Sbの拡散の雰囲気依存(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
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概要
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SiO_2中のB、P、As、Sbを種々の雰囲気(N_2、0_2、H_2)で熱処理した場合の拡散現象を系統的にSIMSを用いて評価した。そのSIMSプロファイルをプロセスシミュレーションで解析し、拡散係数を抽出した。また、今回得られたデータを基に、MOS構造における拡散現象を考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-20
著者
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