青山 敬幸 | (株)半導体先端テクノロジーズ
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概要
関連著者
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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青山 敬幸
株式会社富士通研究所:(現)selete
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青山 敬幸
株式会社富士通研究所
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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杉田 義博
(株)半導体先端テクノロジーズ
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福留 秀暢
株式会社富士通研究所
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有本 宏
MIRAI-Selete
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青山 敬幸
富士通研究所
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有本 宏
富士通研究所
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広大院先端研
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宮崎 誠一
広島大学 工学部
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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久保 智裕
富士通株式会社
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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鬼沢 岳
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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加藤 慎一
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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青山 敬幸
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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田代 浩子
株式会社富士通研究所
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白石 賢二
筑波大学
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有本 宏
富士通株式会社
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籾山 陽一
富士通(株)
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宮崎 誠一
広大
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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門島 勝
ルネサステクノロジ
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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知京 豊裕
物材機構
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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渡部 平司
大阪大学
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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東 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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中島 尚男
兵庫大
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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森岡 博
富士通(株)
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
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白石 賢二
筑波大院数物
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長谷川 繁彦
阪大・産研
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長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
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山崎 辰也
富士通・半導体プロセス開発部
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栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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山崎 辰也
(株)富士通研究所
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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吉永 博路
広島大学大学院先端物質科学研究科
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中島 清美
物質材料機構
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知京 豊裕
物質材料機構
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網中 敏夫
(株)半導体先端テクノロジーズ
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黒澤 悦男
(株)半導体先端テクノロジーズ
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芝原 健太郎
広大
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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福留 秀暢
富士通研究所
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保坂 公彦
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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田島 貢
富士通株式会社
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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森岡 博
富士通株式会社
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田川 幸雄
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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籾山 陽一
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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籾山 陽一
株式会社富士通研究所
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吉田 英司
株式会社富士通研究所
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吉田 英司
富士通研究所
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山部 紀久夫
筑波大学
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中島 清美
物質・材料研究機構
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伊藤 隆司
(株)富士通研究所
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諸岡 哲
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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網中 敏夫
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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ピディン セルゲイ
富士通(株)次世代lsi開発事業部
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入野 清
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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森崎 祐輔
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
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中島 尚男
大阪大学産業科学研究所
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杉田 義博
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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Pidin Sergey
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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田川 幸雄
富士通株式会社
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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伊藤 隆司
富士通研究所
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山崎 辰也
富士通研究所
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鈴木 邦広
株式会社富士通研究所
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鈴木 邦広
富士通研究所
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田代 浩子
富士通研究所
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多田 陽子
富士通研究所
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堀内 敬
富士通研究所
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宗高 勇気
広島大学大学院先端物質科学研究科
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芝原 健太郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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三瀬 信行
日立製作所
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小野 哲郎
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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杉井 寿博
富士通
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村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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ピディン セルゲイ
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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杉田 義博
株式会社富士通研究所
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村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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大田 晃生
広島大学 大学院先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
著作論文
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- Sub-50nm MOSFETにおけるポリゲート起因キャリア分布ばらつきの抑制(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- HfO_2ゲート絶縁膜特性の前処理依存性
- ゲートLERがsub-50nm N-MOSFETのextension不純物分布へ及ぼす影響の直接評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極薄Si直接窒化・酸化ゲート絶縁膜の評価
- SiO_2中のB、P、As、Sbの拡散の雰囲気依存(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
- Sub-100nm MOSFETのエクステンション領域におけるキャリア分布評価(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS