長谷川 繁彦 | 阪大・産研
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概要
関連著者
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長谷川 繁彦
阪大・産研
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長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
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伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
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朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
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朝日 一
阪大産研
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朝日 一
大阪大学産業科学研究所
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伊藤 利道
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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寺地 徳之
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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江村 修一
大阪大学産業科学研究所
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周 逸凱
大阪大学産業科学研究所
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李 成泰
阪大・産研
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中村 勝吾
阪大・産研
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中村 勝吾
阪大 産研
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長谷川 繁彦
阪大産研
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藤原 敦志
大阪大学産業科学研究所
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中島 尚男
兵庫大
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藤原 淳志
大阪大学産業科学研究所研
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金 武成
大阪大学産業科学研究所
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木村 重哉
大阪大学産業科学研究所
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崔 誠佑
大阪大学産業科学研究所
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李 輝宰
大阪大学産業科学研究所
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今田 明範
大阪大学産業科学研究所
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岩崎 裕
阪大産研
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岩崎 裕
阪大・産研・量子分子デバイス
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中島 尚男
大阪大学産業科学研究所
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秋月 誠
阪大・産研
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大島 明博
阪大産研
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北島 彰
阪大産研
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酒井 政道
埼大院理工
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石丸 学
大阪大学産業科学研究所
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石丸 学
阪大産研
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濱田 充弘
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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三谷 諭司
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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濱田 充弘
大阪大学大学院工学部研究科
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本多 善太郎
埼大院理工
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平間 弘晃
埼大院理工
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大越 朋哉
埼大院理工
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樋口 宏二
阪大産研
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小林 正起
東大理
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今野 豊彦
阪府大院工
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藤森 淳
東大新領域
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竹田 幸治
原子力機構
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石田 行章
東大理
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黄 鐘日
東大新領域
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長船 義敬
東大理
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岡根 哲夫
原子力機構
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橋本 政彦
阪大産研
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江村 修一
阪大・産研
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藤森 伸一
原研放射光
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弘津 禎彦
大阪大学産業科学研究所
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弘津 禎彦
長岡技科大
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徳田 克彦
阪大・産研
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丹保 浩行
阪大・産研
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周 逸凱
阪大・産研
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朝日 一
阪大・産研
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徐 鍾旭
大阪大学産業科学研究所
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寺山 正敏
大阪大学産業科学研究所
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内田 夏苗
大阪大学産業科学研究所
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松本 武
大阪大学産業科学研究所研
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竹田 幸治
原研放射光
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岡根 哲夫
原研放射光
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村松 康司
原研放射光
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田中 浩之
阪大産研
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吉嵜 聡
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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前橋 兼三
阪大産研
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松田 理
北大工
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今野 豊彦
東北大学金属材料研究所
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佐藤 和久
東北大学金属材料研究所大阪センター
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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邑瀬 和生
大阪教養
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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福留 秀暢
富士通研究所
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田中 裕輔
大阪大学産業科学研究所
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松田 好正
阪大・産研
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中島 尚男
阪大・産研
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有本 宏
MIRAI-Selete
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村松 康司
兵庫県立大物質理:原子力機構放射光
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田代 浩子
株式会社富士通研究所
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弘津 禎彦
大阪大学産業科学研究所高次制御材料科学研究部門材料機能物性研究分野
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前橋 兼三
大阪大学産業科学研究所
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井上 恒一
大阪大学産業科学研究所
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木村 憲泰
大阪大学産業科学研究所
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佐藤 正道
大阪大学産業科学研究所
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岩根 正晃
大阪大学理学部
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松田 理
大阪大学理学部
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邑瀬 和生
大阪大学理学部
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青山 敬幸
富士通研究所
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
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鈴木 邦広
富士通研究所
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田代 浩子
富士通研究所
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多田 陽子
富士通研究所
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有本 宏
富士通研究所
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堀内 敬
富士通研究所
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李 宝〓
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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橋本 博
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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中村 純
大阪大学大学院工学研究科
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和田 英樹
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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山本 道詞
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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辻本 健一
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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千 民承
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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佐藤 和久
東北大学金属材料研究所
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米田 育広
阪大・産研
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青山 敬幸
株式会社富士通研究所:(現)selete
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早川 昌志
埼大院理工
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桜庭 琢士
埼大院理工
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坂井 政道
埼大院理工
著作論文
- 21aYK-1 稀薄磁性半導体GaCrNにおけるX線直線偏光特性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- パターニングしたSOI基板上のGaNナノロッド成長とその評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半導体ナノスピントロニクス材料創製
- GaNナノロッドの先端先鋭化とその電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- TlInGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ
- 24aPS-7 希薄磁性半導体GaN:Crの光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
- 走査型トンネル顕微鏡による微細デバイス構造のナノ評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 5p-T-7 Si(111)(√×√)-Al上のAl薄膜室温成長過程
- CS-3-4 強磁性半導体による光半導体スピントロニクスデバイス(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
- GaAs(110)微傾斜面上のAlGaAs分子線成長と量子細線構造の形成
- 酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
- 各種サファイアに対するkeV領域電子線照射効果
- 酸化チタンの高電界印加時の衝突励起現象とその応用
- 化学気相合成ダイヤモンド(100)の表面酸化過程の走査トンネル顕微鏡, 光電子放出顕微鏡及びX線光電子分光による評価
- トリメチルホスフィンを用いたリンドープ気相合成ダイヤモンド薄膜の作製と評価
- 高品質気相合成ダイヤモンド薄膜を用いた高電界印加型p-i-p素子の電気的特性
- 気相合成ダイヤモンド薄膜上におけるプラチナ薄膜の低温形態変化
- ダイヤモンド薄膜表面導入欠陥のカソードルミネッセンス強度への影響
- 30a-D-10 Ge_xSi_(111)高温相の(√×√)的散漫散乱構造
- 1a-S-11 Si(111)表面の低温及び高温におけるステップ構造
- 1a-S-9 Si(111)高温相の√×√散漫散乱
- 高品質CVDダイヤモンドを用いた高感度検出器の開発
- 26p-P-6 Si(111)√-A1相の原子状水素曝露による表面構造変化
- 26p-P-5 Si(111)√-A1相の角度分解電子エネルギー損失スペクトル
- 化学気相合成ダイヤモンド上に堆積した有機発光材料α-ナフチルフェニルジアミン薄膜の評価
- 集束イオンビームを用いて加工した高電界印加型ダイヤモンド素子構造における残留ガリウムの電界誘起効果
- 気相合成ダイヤモンド単結晶薄膜における短パルスレーザー励起キャリアの輸送特性
- 表面科学はユビキタス
- 26pSA-8 スピン軌道相互作用とローレンツ力との協同効果による磁気およびホール抵抗(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-28 低濃度(水素雰囲気からの高濃度水素吸蔵体YH_3およびGdH_3の結晶成長(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 18aPSA-14 両極性伝導型Gd_XY_H_2における異常および正常ホール効果(18aPSA 領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・遍歴・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))