MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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分子線エピタキシー法を用いて成長したCF、Mn、Gd、Dyの遷移金属及び希土類元素添加のGaNに対し、それらの光学、磁気特性などを研究した。遷移金属添加のGaNでは,GaCrNの方がGaMnNよりも良好な特性であり、強磁性転移温度は400K以上である。しかも,GaCrNから強力なフォトルミネセンス(PL)発光も観測され、光る高温強磁性半導体とも言える。希土類元素Gd及びDy添加のGaNにおいては、f電子の内殻遷移による発光が観察されたと同時に、GaGdNを始めとする試料からは室温以上の強磁性成分が観察された。本研究では、初めて、GaCrN/GaN/GaCrN三層構造を作製し、その磁気抵抗効果を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
-
朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
-
朝日 一
阪大産研
-
長谷川 繁彦
阪大・産研
-
朝日 一
大阪大学産業科学研究所
-
長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
-
周 逸凱
大阪大学産業科学研究所
-
金 武成
大阪大学産業科学研究所
-
木村 重哉
大阪大学産業科学研究所
-
崔 誠佑
大阪大学産業科学研究所
-
江村 修一
大阪大学産業科学研究所
-
伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
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