走査型トンネル顕微鏡による微細デバイス構造のナノ評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
微細化の著しいシリコンデバイスをナノスケールで評価する手法の開発が望まれている.その一つとして,原子分解能を有する走査型トンネル顕微鏡scanning tunneling microscopy: STM)法を提案している.本稿では,STM法によりシリコンデバイスを評価する上で必要となる表面処理法について簡単に述べた後,シリコン基板表面に形成した微細pn接合とトランジスタ断面をナノスケールで評価した結果について述べる.
- 日本信頼性学会の論文
- 2006-05-01
著者
関連論文
- 21aYK-1 稀薄磁性半導体GaCrNにおけるX線直線偏光特性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- パターニングしたSOI基板上のGaNナノロッド成長とその評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半導体ナノスピントロニクス材料創製
- GaNナノロッドの先端先鋭化とその電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- TlInGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ
- 24aPS-7 希薄磁性半導体GaN:Crの光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 多孔質シリコンから観測される半値幅の狭いフォトルミネセンス
- ポーラスシリコンの酸化による構造安定化とその物性
- TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
- 走査型トンネル顕微鏡による微細デバイス構造のナノ評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 5p-T-7 Si(111)(√×√)-Al上のAl薄膜室温成長過程
- CS-3-4 強磁性半導体による光半導体スピントロニクスデバイス(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
- GaAs(110)微傾斜面上のAlGaAs分子線成長と量子細線構造の形成
- GaAs(001)基板上に成長したInAsドット構造のアニール効果
- 金属メッキされた多孔質シリコンの微細構造と膜中分布
- 水素プラズマ処理による酸化多孔質シリコンのPL、EL特性の安定化
- pn接合多孔質シリコンの可視発光
- ダイヤモンド表面物性の評価・制御と電子エミッターへの応用
- 気相合成ダイヤモンドによる薄膜電子エミッターの作製
- 窒素ドープダイヤモンドの表面抵抗及び結晶性の評価
- 30p-W-9 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス II
- 酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
- 各種サファイアに対するkeV領域電子線照射効果
- 酸化チタンの高電界印加時の衝突励起現象とその応用
- 化学気相合成ダイヤモンド(100)の表面酸化過程の走査トンネル顕微鏡, 光電子放出顕微鏡及びX線光電子分光による評価
- トリメチルホスフィンを用いたリンドープ気相合成ダイヤモンド薄膜の作製と評価
- 高品質気相合成ダイヤモンド薄膜を用いた高電界印加型p-i-p素子の電気的特性
- 気相合成ダイヤモンド薄膜上におけるプラチナ薄膜の低温形態変化
- ダイヤモンド薄膜表面導入欠陥のカソードルミネッセンス強度への影響
- 化学気相合成ダイヤモンド上に堆積した有機発光材料α-ナフチルフェニルジアミン薄膜の評価
- 集束イオンビームを用いて加工した高電界印加型ダイヤモンド素子構造における残留ガリウムの電界誘起効果
- 気相合成ダイヤモンド単結晶薄膜における短パルスレーザー励起キャリアの輸送特性
- CVDダイヤモンドからの高効率電子エミッション
- プラズマCVD法による高品質ダイヤモンドの合成
- ダイヤモンド表面からの電子放出-ディスプレイへの応用を目指して-
- 有磁場マイクロ波プラズマ気相合成装置内に付着した炭素薄膜の酸素プラズマによるエッチング
- ダイヤモンド薄膜を用いた電子エミッタ
- 単結晶ダイヤモンド膜からの高効率電子放出
- インジウムメッキされた多孔質シリコンの構造とその性質
- ガスパフを用いた有磁場マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド成膜とラジカルの時間変化
- 多孔質シリコンの可視PLスペクトルの陽極化成中照射光依存性
- 硝酸塩水溶液のパルス噴霧熱分解法によるYBa_2Cu_3O_超伝導薄膜の作製
- 可視発光多孔質シリコンの陽極酸化処理効果
- 走査型トンネル顕微鏡によるAI/Si(111)界面形成過程の研究
- 8a-H-3 Si(111)"1×1"-As相のLEED散漫散乱の温度依存性
- MOSFET断面構造の走査型トンネル顕微鏡および原子間力顕微鏡による評価
- 走査型トンネル顕微鏡によるSi(111)基板表面上のAI薄膜成長初期過程の観察
- 30a-D-10 Ge_xSi_(111)高温相の(√×√)的散漫散乱構造
- 1a-S-11 Si(111)表面の低温及び高温におけるステップ構造
- 1a-S-9 Si(111)高温相の√×√散漫散乱
- 高品質CVDダイヤモンドを用いた高感度検出器の開発
- 31a-Y-3 多孔質Si:Hの赤外吸収とフォトルミネッセンス
- サマリー・アブストラクト
- 気相合成ダイヤモンドの電子デバイスへの応用
- ダイヤモンド気相合成における基板バイアスによる核発生過程
- 負性電子親和力ダイヤモンド半導体-ディスプレイ材料としての可能性-
- 半導体ダイヤモンド薄膜を用いた電子エミッタ
- 超微粒子種結晶を用いたダイヤモンド薄膜の低温合成(カーボン)
- 高速イオン散乱・チャネリング法による金属/半導体界面の評価
- 多孔質シリコンの陽極化成
- 気相合成ダイヤモンド薄膜/金属界面の特性
- ダイヤモンドをよく知るために 評価法(17)高速イオン散乱分光法
- 30p-L-9 プラズマ気相合成によるsp^3カーボン膜のESR
- 26p-P-6 Si(111)√-A1相の原子状水素曝露による表面構造変化
- 26p-P-5 Si(111)√-A1相の角度分解電子エネルギー損失スペクトル
- 化学気相合成ダイヤモンド上に堆積した有機発光材料α-ナフチルフェニルジアミン薄膜の評価
- 集束イオンビームを用いて加工した高電界印加型ダイヤモンド素子構造における残留ガリウムの電界誘起効果
- 気相合成ダイヤモンド単結晶薄膜における短パルスレーザー励起キャリアの輸送特性
- 多孔質シリコンの初期酸化と金属シリサイド化
- ナノ・スケールで見るSi微細デバイス (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- Si (111) √3-Au構造の角度分解電子エネルギー損失分光
- 表面科学はユビキタス
- 多孔質シリコン (アモルファス半導体と新材料) -- (新材料)
- 低速電子透過分光法
- 26pSA-8 スピン軌道相互作用とローレンツ力との協同効果による磁気およびホール抵抗(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-28 低濃度(水素雰囲気からの高濃度水素吸蔵体YH_3およびGdH_3の結晶成長(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 18aPSA-14 両極性伝導型Gd_XY_H_2における異常および正常ホール効果(18aPSA 領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・遍歴・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))