インジウムメッキされた多孔質シリコンの構造とその性質
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概要
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様々な条件の下で形成した多孔質シリコンにインジウム(In)を電気メッキし、多孔質シリコン中のインジウムの分布や酸化処理による変化を透過型電子顕微鏡やラザフォード後方散乱分光法を用いて評価した。また、作製した試料について電気特性も調べた。その結果、Inは多孔質層中で粒状で分布するものの、多孔質層表面からSi基板を通して電気的に繋がる程度のメッキが可能であることが明らかになった。Inの電気メッキ過程は多孔質シリコンの構造に深く依存し、多孔質層中に導入されたり、大部分が表面に堆積したりする。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-12
著者
-
伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
-
八田 章光
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
伊藤 利道
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
長尾 孝信
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
西山 健次
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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