TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2009-12-01
著者
-
今野 豊彦
阪府大院工
-
石丸 学
大阪大学産業科学研究所
-
朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
-
朝日 一
阪大産研
-
長谷川 繁彦
阪大・産研
-
朝日 一
大阪大学産業科学研究所
-
長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
-
伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
-
今野 豊彦
東北大学金属材料研究所
-
佐藤 和久
東北大学金属材料研究所大阪センター
-
田中 裕輔
大阪大学産業科学研究所
-
石丸 学
阪大産研
-
佐藤 和久
東北大学金属材料研究所
関連論文
- 23aHY-10 Zr基3元系バルク非晶質金属中の自由体積構造の組成依存性(23aHY 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 28p-J-3 表面酸化・単分散Coクラスター集合体の作製と磁性
- 金属ガラスの構造と基礎物性(A02班)
- 21aYK-1 稀薄磁性半導体GaCrNにおけるX線直線偏光特性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 半導体ヘテロエピタキシーの現状と展望
- IUVSTA Scientific and Technical Divisions (STD) の報告
- パターニングしたSOI基板上のGaNナノロッド成長とその評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 関西支部15周年を迎えて
- 半導体ナノスピントロニクス材料創製
- 半導体ナノスピントロニクス・デバイス
- GaNナノロッドの先端先鋭化とその電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- TlInGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ
- GaNベースの透明磁性半導体の作製と特性(「磁性薄膜作製技術」)
- 24aPS-7 希薄磁性半導体GaN:Crの光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 新磁性3-V族半導体の創製と新機能デバイス応用の研究 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- 室温透明強磁性半導体の創製と半導体スピントロニクス
- タリウム系新混晶半導体による, 発振波長の温度変化がない半導体レーザーの実現をめざして
- TlInGaAs/InP ダブルヘテロ構造LED
- 希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性
- TlInGaAs/InPダブルヘテロ構造LED
- 27aXA-5 高圧下におけるアルカリハライド不純物中心のスピン軌道相互作用
- Gas-SourceMBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- Gas-Source MBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
- GaP/InP 短周期超格子成長による自己形成量子構造
- タリウム系半導体の結晶成長 : 温度無依存バンドギャップ半導体の可能性
- 自己形成半導体量子構造と赤色発光量子デバイス (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (新デバイス材料開発技術の最前線)
- 真空系への反応性ガス,毒性ガス,微少流量の導入
- GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
- ガスソースMBE成長TlInCaP系の光学的特性
- ガスソースMBE成長TlInGaP系の光学的特性
- 新III-V族半導体TlInGaPのガスソースMBE成長
- ガスソ-ス分子線エピタキシ-法によるリン系化合物半導体の原子オ-ダ-制御
- 22pTD-1 Zr_Cu_Al_金属ガラスの熱活性化過程における自由体積評価(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 18pXB-8 Zr_Cu_Al_金属ガラスの構造緩和の温度依存性(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYK-2 ZrCuAl金属ガラス中における自由体積の陽電子消滅法による評価(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(9)」 : -先端顕微鏡法開発がもたらす材料科学の新たな展開-企画にあたって
- S0405-1-4 収差補正電子顕微鏡によるセラミック薄膜の界面構造解析(セラミックス/セラミックス基礎合材料I)
- TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
- 高ドーズ鉄イオン注入シリコンの再結晶化過程
- 相変化光記録材料の電子線構造解析
- アモルファス鉄シリサイド薄膜の局所構造と結晶化過程
- 相変化型記録材料Ge-Sb-Te非晶質薄膜の断面観察
- 900℃ニッケル触媒炭素化で調製した木質炭素化物の導電特性とナノ構造
- 収差補正TEMによるZrO_2超薄膜における構造遷移層の解明
- 26pPSB-19 磁場中及び無磁場中蒸着によるポリエチレンナフタレート有機膜上のニッケル薄膜に関する研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Ni薄膜/ポリエチレンナフタレート(PEN)有機膜を用いた量子十字素子の作製とその評価
- 25aXA-7 Zr基バルク金属ガラスが有する局所構造の組成依存性(25aXA 液体・アモルファス,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 最近の研究から アモルファスシリコンカーバイドの構造と構造緩和過程
- 31a-X-8 Al_Cu_Ru_準結晶のNMR
- 23pPSB-67 Ni/P3HT:PCBM/Niナノスケール接合の作製とその評価(23pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 複合酸化物セラミックスの照射誘起構造変化
- δ-Sc_4Zr_3O_におけるイオン照射誘起構造変化の透過電子顕微鏡法による解析
- イオン照射誘起非晶質SiCの化学的短範囲規則性
- アモルファスSi_Ge_x合金構造の分子動力学シミュレーション
- アモルファスシリコンカーバイドの構造と構造緩和過程
- 透過電子顕微鏡法によるアモルファスSiCの構造解析 (特集 大阪大学産業科学研究所 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(2))
- 酸素イオン注入シリコンカーバイドにおける埋め込み非晶質層の構造解析
- イオンビーム技術によるSiC-on-insulator構造の作製
- Al-Cu合金のGPゾーンのHAADF-STEM像
- 散乱された電子が結ぶ像--HAADF-STEMによるGPゾーンの観察 (原子スケール評価(上))
- 31a-T-12 バナジウム重水素化物の中性子回折
- In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察
- In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察
- TEM像の解釈(2)
- 磁性クラスター--原子の並び方から電磁場まで (特集 ナノワールドへご招待(2)新しい材料編)
- Fe-Cr-N垂直磁化膜の構造・組織
- 29a-PS-38 クラスタービーム法で作製したFe/Cuグラニュラー膜の構造と磁気抵抗効果
- L1_0型FePdナノ粒子の球面収差補正高分解能電子顕微鏡観察
- TEM像の解釈(I)
- 一般公開と若者の理系・材料系離れを思う
- 26pPSA-60 磁気光学カー効果で観測したCo-Cr合金クラスターの集合化経過
- EuO薄膜の作製及び電気抵抗の測定
- 融液からのシリコン結晶成長過程における不純物原子の挙動 : 炭素原子
- プラズマ・ガス凝縮Fe/Agクラスター集合体の磁性
- III-V族半導体混晶のエピタキシャル成長に伴う規則化と相分離のモンテカルロシミュレーションによる検討
- 界面スピノーダル分解(組織)
- 分子動力学シミュレーションによる融液及び融液/固相シリコン界面の構造解析 : バルク成長シンポジウムII
- 3-5族混晶半導体における秩序構造の形成機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- 27aB9 III-V族半導体混晶の結晶成長に伴う準安定な3次元秩序構造の形成(基礎II)
- C15ラーベス相超伝導体HfV_2のナイトシフト
- Co-C グラニュラー薄膜の構造と磁気的性質
- ポリエチレンナフタレート(PEN)有機膜上の Ni 及び Ni75Fe25 薄膜における表面・界面構造と磁気特性
- 非平衡Eu-Fe合金の磁気的性質
- 蒸着法で合成したユーロビウム酸化物薄膜の構造と磁気的性質
- イオンクラスタービーム法で作製したFe-Cuグラニュラー合金膜の磁性と巨大磁気抵抗
- ポリエチレンナフタレート(PEN)有機膜上のNi及びNi_Fe_薄膜における表面・界面構造と磁気特性
- クラスタ-ビ-ム法及び蒸着法により作製したFe/Cuグラニュラ-膜の磁気的性質
- アモルファスAl_2O_3およびWO_3の結晶化に伴うナノポーラス化
- 21aGQ-3 Zr-Cu-Alバルク金属ガラス中の自由体積緩和に対する組成依存性の陽電子消滅測定(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- アモルファス酸化物の構造変化および結晶化に伴うナノポーラス化
- アモルファス酸化物の構造変化および結晶化に伴うナノポーラス化
- 強磁性規則合金ナノ粒子の原子的構造