In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ZrとSiとの界面反応をin-situTEM、EDS、およびナノビーム回折を用いて観察した。Zr堆積直後界面に形成された約2nmアモルファス層は400℃のアニールにより成長するが、これはZr方向への初期の急激な増加とその後の両方向への緩やかな増加とからなり、最終的には飽和する。これらは拡散により成長するものと考えられる。500℃のアニールによりアモルファスSiの界面にZrSi_2が形成される。このZiSi_2の成長はC49構造の(060)面を一層としてSi中へlayer-by-layerで進むことを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-04-21
著者
-
今野 豊彦
阪府大院工
-
今野 豊彦
東北大学金属材料研究所
-
田中 宏幸
沖電気工業(株) 超lsi研究開発センタ
-
平下 紀夫
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
-
平下 紀夫
沖電気工業株式会社超lsi研究セソタ
-
沖原 将生
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
-
Sinclair Robert
Department of Materials Science and Engineering, Stanford University
-
Sinclair R
Department Of Marerials Science And Engineering Stanford University
-
Sinclair Robert
Department Of Materials Science And Engineering Stanford University
-
平下 紀夫
沖電気工業 (株) 超LSI開発センタ
-
Sinclair Robert
Department of Marerials Science and Engineering, Stanford University
関連論文
- 23aHY-10 Zr基3元系バルク非晶質金属中の自由体積構造の組成依存性(23aHY 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 28p-J-3 表面酸化・単分散Coクラスター集合体の作製と磁性
- MgO障壁を用いたFePt垂直磁化トンネル磁気抵抗素子の磁気抵抗特性および極微構造
- 22pTD-1 Zr_Cu_Al_金属ガラスの熱活性化過程における自由体積評価(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 18pXB-8 Zr_Cu_Al_金属ガラスの構造緩和の温度依存性(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYK-2 ZrCuAl金属ガラス中における自由体積の陽電子消滅法による評価(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(9)」 : -先端顕微鏡法開発がもたらす材料科学の新たな展開-企画にあたって
- Ni (A1), Ni3Al (L12), Ni3V (D022) 3相間の相平衡に及ぼすTi添加の効果
- 薄いゲート酸化膜の絶縁耐圧に及ぼす有機汚染の影響
- S0405-1-4 収差補正電子顕微鏡によるセラミック薄膜の界面構造解析(セラミックス/セラミックス基礎合材料I)
- TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
- 900℃ニッケル触媒炭素化で調製した木質炭素化物の導電特性とナノ構造
- 収差補正TEMによるZrO_2超薄膜における構造遷移層の解明
- 25aXA-7 Zr基バルク金属ガラスが有する局所構造の組成依存性(25aXA 液体・アモルファス,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 31a-X-8 Al_Cu_Ru_準結晶のNMR
- Al-Cu合金のGPゾーンのHAADF-STEM像
- 散乱された電子が結ぶ像--HAADF-STEMによるGPゾーンの観察 (原子スケール評価(上))
- シリコンウエハーの薄い酸化膜の絶縁耐圧に及ぼす有機汚染の影響
- 31a-T-12 バナジウム重水素化物の中性子回折
- MOSFETの容量測定とチャージポンピング測定による界面準位のラテラルプロファイル評価
- In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察
- In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察
- TEM像の解釈(2)
- 磁性クラスター--原子の並び方から電磁場まで (特集 ナノワールドへご招待(2)新しい材料編)
- Fe-Cr-N垂直磁化膜の構造・組織
- 29a-PS-38 クラスタービーム法で作製したFe/Cuグラニュラー膜の構造と磁気抵抗効果
- L1_0型FePdナノ粒子の球面収差補正高分解能電子顕微鏡観察
- TEM像の解釈(I)
- 一般公開と若者の理系・材料系離れを思う
- 26pPSA-60 磁気光学カー効果で観測したCo-Cr合金クラスターの集合化経過
- EuO薄膜の作製及び電気抵抗の測定
- プラズマ・ガス凝縮Fe/Agクラスター集合体の磁性
- C15ラーベス相超伝導体HfV_2のナイトシフト
- Co-C グラニュラー薄膜の構造と磁気的性質
- SiO_2/Si Interfaces Studied by STM and HRTEM(II) : Etching and Deposition Technology
- SiO_2/Si Interfaces Studied by STM and HRTEM (II)
- 非平衡Eu-Fe合金の磁気的性質
- 蒸着法で合成したユーロビウム酸化物薄膜の構造と磁気的性質
- 水素イオンのチャネリングによる微細コンタクトホール底の欠陥
- ソース・ドレインの全層シリサイド化によるFD SOI MOSFETの高性能化
- ソース・ドレインの全層シリサイド化によるFD SOI MOSFETの高性能化
- TEM/AEMによる超LSIデバイス/プロセスの不具合解析 (半導体デバイス/プロセス評価の最前線)
- マイクロプロ-ブAES・AEMによるULSIデバイスの微小領域の表面界面の評価
- 内標準法に基づく浅いドーパントプロファイルの高精度SIMS測定
- 昇温脱離ガス分析法による半導体集積回路材料からの放出ガスの定量分析
- AESによるサブミクロンビアホール内微小領域分析法の検討
- CVD酸化膜の吸湿過程と水の脱離機構
- Kinetic Analysis of the C49-to-C54 Phase Transformation in TiSi_2 Thin Films by In Situ Observation
- In Situ Observation of the C49-to-C54 Phase Transformation in TiSi_2 Thin Films by Transmission Electron Microscopy
- イオンクラスタービーム法で作製したFe-Cuグラニュラー合金膜の磁性と巨大磁気抵抗
- クラスタ-ビ-ム法及び蒸着法により作製したFe/Cuグラニュラ-膜の磁気的性質
- 新しい昇温脱離ガス分析装置の開発とVLSI材料及びプロセス評価への応用
- 21aGQ-3 Zr-Cu-Alバルク金属ガラス中の自由体積緩和に対する組成依存性の陽電子消滅測定(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- アモルファス酸化物の構造変化および結晶化に伴うナノポーラス化
- 強磁性規則合金ナノ粒子の原子的構造
- 強磁性規則合金ナノ粒子の原子的構造
- 強磁性 L10 型規則合金ナノ粒子の原子的構造と相変態