内標準法に基づく浅いドーパントプロファイルの高精度SIMS測定

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概要

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内標準法に基づく二次イオン質量分析法(SIMS)により、Si基板中のドーパントプロファイルの高精度化を達成した。本法は、未知試料上に標準イオン注入層を形成し、一回の測定で標準イオン注入層と未知試料が連続して分析されるため、標準イオン注入層の既知ドーズ量により、繰り返し測定精度の高い不純物のプロファイル分析が可能となる。B^+イオン注入試料のドーパンプロファイル分析について、17測定を行い、得られた検出ドーズ量及びプロファイルのピーク値の相対標準偏差は、いずれも5%以下であった。SIMSの定量分析について従来懸念されている絶対定量精度についても、B^+イオンを注入した試料を溶かしてICP-MSなどの化学分析法でドーズ量を求め、標準ドーズ量とする方法を確立した。この内標準法により得られたSIMSドーパントプロファイルとMOSキャパシター試料のPulsed C-V測定法により得られたプロファイルが良く一致した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-11-24

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