薄いゲート酸化膜の絶縁耐圧に及ぼす有機汚染の影響

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概要

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デバイス製造工程における有機汚染をPC-SIMS法で評価した。ウェハ表面の有機物は洗浄やクリンルームの環境に依存するだけでなく、ゲート電極となるポリシリコンを堆積することよって変化することがわかった。耐圧に及ぼす有機汚染の影響は、5〜15nmのゲート酸化膜上に10^<12>cm^<-2>を越える汚染があると絶縁耐圧は劣化することを見い出した。また、ゲート酸化膜が10nm以下のとき、有機汚染によりAモード不良が顕著に発生することがわかった。
1996-11-14

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