平下 紀夫 | 沖電気工業 (株) 超LSI開発センタ
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概要
関連著者
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平下 紀夫
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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平下 紀夫
沖電気工業 (株) 超LSI開発センタ
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平下 紀夫
沖電気工業株式会社超lsi研究セソタ
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内田 英次
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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田中 宏幸
沖電気工業(株) 超lsi研究開発センタ
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一森 高示
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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一森 高示
沖電気工業株式会社超lsi研究セソタ
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今野 豊彦
阪府大院工
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今野 豊彦
東北大学金属材料研究所
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池田 聡
沖電気工業(株)超lsi研究開発センタ
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冨永 之廣
プロセス技術センタ
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劉 国林
沖電気工業株式会社電子デバイス事業本部
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沖原 将生
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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Sinclair Robert
Department of Materials Science and Engineering, Stanford University
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劉 国林
沖電気工業(株)超lsi研究開発センタ
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Sinclair R
Department Of Marerials Science And Engineering Stanford University
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Sinclair Robert
Department Of Materials Science And Engineering Stanford University
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Sinclair Robert
Department of Marerials Science and Engineering, Stanford University
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冨永 之廣
沖電気工業プロセス技術一部
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福田 浩一
沖電気工業株式会社
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錨 英人
沖電気工業(株)プロセス技術センタ
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黒田 茂樹
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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黒田 茂樹
沖電気工業
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合川 泉
沖電気工業超LSI研究開発センタ
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内山 泰三
電子科学(株)
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池田 聰
沖電気工業超Lセンタ
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奥野 泰幸
沖電気工業プロ技センタ
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時藤 俊一
沖電気工業超LSI研究開発センタ
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黒田 茂樹
沖電気工業超lsi研究開発センタ
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時藤 俊一
沖電気工業株式会社生産センタ
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味岡 恒夫
沖電気工業
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日永 康
電子科学 (株)
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味岡 恒夫
沖電気工業 (株) 超LSI開発センタ
著作論文
- 薄いゲート酸化膜の絶縁耐圧に及ぼす有機汚染の影響
- シリコンウエハーの薄い酸化膜の絶縁耐圧に及ぼす有機汚染の影響
- MOSFETの容量測定とチャージポンピング測定による界面準位のラテラルプロファイル評価
- In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察
- In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察
- 水素イオンのチャネリングによる微細コンタクトホール底の欠陥
- ソース・ドレインの全層シリサイド化によるFD SOI MOSFETの高性能化
- ソース・ドレインの全層シリサイド化によるFD SOI MOSFETの高性能化
- マイクロプロ-ブAES・AEMによるULSIデバイスの微小領域の表面界面の評価
- 内標準法に基づく浅いドーパントプロファイルの高精度SIMS測定
- 昇温脱離ガス分析法による半導体集積回路材料からの放出ガスの定量分析
- AESによるサブミクロンビアホール内微小領域分析法の検討
- CVD酸化膜の吸湿過程と水の脱離機構
- 新しい昇温脱離ガス分析装置の開発とVLSI材料及びプロセス評価への応用