MOSFETの容量測定とチャージポンピング測定による界面準位のラテラルプロファイル評価

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概要

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MOSFET構造において、発生した界面準位の横方向分布の新しい測定方法について提案する。本測定法では、MOSFETのゲート・ドレイン間容量測定によりチャージポンピング測定領域のエッジの位置を決定し、チャージポンピング測定と組み合わせることにより、界面準位の発生分布を測定する。容量測定法から求めたチャージポンピング測定領域のエッジの位置は、デバイスシミュレーションの結果とよく一致しており、容量測定法の妥当性が確かめられた。本測定法を用いて、水の透過性の異なる層間膜を有するNチャネルMOSFETについて、ホットキャリアにより発生した界面準位の横方向分布を測定した。水分透過性の高い試料では、界面準位の発生量が多く、その発生分布も多少広がることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-05-23

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