内田 英次 | 沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ

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• 内田 英次

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• 平下 紀夫

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• 平下 紀夫

  沖電気工業株式会社超lsi研究セソタ

• 平下 紀夫

  沖電気工業 (株) 超LSI開発センタ

• 池田 聡

  沖電気工業(株)超lsi研究開発センタ

• 冨永 之廣

  プロセス技術センタ

• 劉 国林

  沖電気工業株式会社電子デバイス事業本部

• 劉 国林

  沖電気工業(株)超lsi研究開発センタ

• 味岡 恒夫

  沖エンジニアリング株式会社信頼性技術部

• 味岡 恒夫

  沖エンジニアリング(株)

• 冨永 之廣

  沖電気工業プロセス技術一部

• 福田 浩一

  沖電気工業株式会社

• 田中 宏幸

  沖電気工業(株) 超lsi研究開発センタ

• 錨 英人

  沖電気工業(株)プロセス技術センタ

• 黒田 茂樹

  沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ

• 黒田 茂樹

  沖電気工業

• 合川 泉

  沖電気工業超LSI研究開発センタ

• 池田 聰

  沖電気工業超Lセンタ

• 奥野 泰幸

  沖電気工業プロ技センタ

• 時藤 俊一

  沖電気工業超LSI研究開発センタ

• 黒田 茂樹

  沖電気工業超lsi研究開発センタ

• 柴田 真弓

  沖電気工業プロセス技術センター

• 藁谷 聡美

  沖電気工業プロセス技術センター

• 大岩 幸一

  沖電気工業プロセス技術センター

• 時藤 俊一

  沖電気工業株式会社生産センタ

• 味岡 恒夫

  沖エンジニアリング

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著作論文

• 薄いゲート酸化膜の絶縁耐圧に及ぼす有機汚染の影響
• シリコンウエハーの薄い酸化膜の絶縁耐圧に及ぼす有機汚染の影響
• MOSFETの容量測定とチャージポンピング測定による界面準位のラテラルプロファイル評価
• ULSI製造プロセスにおけるウェットクリーニング技術の課題
• 内標準法に基づく浅いドーパントプロファイルの高精度SIMS測定
• AESによるサブミクロンビアホール内微小領域分析法の検討
• CVD酸化膜の吸湿過程と水の脱離機構
• ド-パントプロファイルの高精度評価法の開発 (VLSI) -- (プロセス技術)

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