AESによるサブミクロンビアホール内微小領域分析法の検討
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概要
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マイクロオージェ電子分光法(AES)を用いるビアホール(スルーホール)内面微小領域の分析について検討した。孔径1μmφ以下でアスペクト比が1以上のビアホールのAES分析において、ホール底面を分析するとき、後方散乱電子(BSE)の影響により側壁や層間絶縁膜表面からオージェ電子が発生する問題がある。そこで、本研究では、ビアホール底面、側壁及び層間絶縁膜表面に異なる材質を持つ分析試料を作成して、BSEの影響を定量的に解析した。その結果、側壁や層間絶縁膜表面からのオージェ電子の検出強度が、底面元素の検出強度を上回ることが明かになった。さらにBSEによる影響を低減させると同時に凹部分析面の感度を上げる試料劈開分析法の検討を行ない、実用化させた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-10
著者
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内田 英次
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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平下 紀夫
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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劉 国林
沖電気工業株式会社電子デバイス事業本部
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平下 紀夫
沖電気工業株式会社超lsi研究セソタ
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劉 国林
沖電気工業(株)超lsi研究開発センタ
-
池田 聰
沖電気工業超Lセンタ
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奥野 泰幸
沖電気工業プロ技センタ
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平下 紀夫
沖電気工業 (株) 超LSI開発センタ
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