ULSI製造プロセスにおけるウェットクリーニング技術の課題

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
本論文では実際のLSIプロセスにおける洗浄技術の効果や役割について論じている。実プロセスにおけるパーティクルの除去効率はデバイスを劣化させない範囲という制限があり、エッチングや成膜時に発生したパーティクルには洗浄による除去は効果がないため、洗浄のみでパーティクルを制御することは困難である。また、洗浄によるパーティクル除去はそれが発生するプロセスとその化学構造に依存しており、これらを考慮した最適化が必要である。洗浄後のウェーハ上の金属汚染量は洗浄前の汚染量よりも溶液の汚染量や種類が支配的である。実プロセスレベルでの金属汚染はTDDB特性やキャリアライフタイムに影響するが、エッチングやイオン注入によるダメージのほうがよいライフタイムを劣化させる。
1994-08-17

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク