ソース・ドレインの全層シリサイド化によるFD SOI MOSFETの高性能化
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概要
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シリサイド起因による薄膜SOIデバイスの不安定性を回避できる 2ndRTA前コンタクト開口法 (CHEPSA) Co salicideを開発し、超薄膜SOI層の寄生抵抗の低減を実現し、更にSOI層を全層シリサイドイヒする構造をも可能とした。S/D全層シリサイド構造MOSFETでは、従来問題となっていたシリサイド/拡散層接合に形成されるボイドやシリサイド/拡散層の接触面積の減少による寄生抵抗の増加は認められず、良好なデバイス特性が得られた。加えて本MOSFET構造では、寄生bipolar効果を大幅に抑制できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-08
著者
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平下 紀夫
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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平下 紀夫
沖電気工業株式会社超lsi研究セソタ
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一森 高示
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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一森 高示
沖電気工業株式会社超lsi研究セソタ
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平下 紀夫
沖電気工業 (株) 超LSI開発センタ
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