SBT膜と新構造スタックセルを用いた4Mb FeRAM(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
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概要
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強誘電体材料としてSrBi_2Ta_2O_9(SBT)を用いた0.25μm-4Mb 1T1C FeRAMを開発した。0.25umデザインルールを用い、通常のCMOS-Logicに搭載可能である。このデバイスを実現するためのキーとなるプロセスは3つある。1つは下部電極へのタングステン(W)への拡散防止及び酸化パリヤ膜、2つ目はSBT膜の結晶化温度の低減、3つ目は上部電極直上にコンタクトの無いセル構造である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-11
著者
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伊東 敏雄
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
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三橋 敏郎
沖電気工業株式会社ATP生産本部
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黒田 英明
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
-
黒田 英明
ソニー(株)
-
吉丸 正樹
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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伊藤 康幸
ソニー(株)厚木第1テクノロジーセンター
-
伊藤 康幸
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
-
足利 欣哉
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
-
庄子 光治
ソニー(株)中央研究所
-
庄子 光治
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
-
守屋 博之
ソニー(株)
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター(starc)
-
佐々木 正義
ソニー(株)セミコンタクタカンパニー第1LSI部門
-
一森 高示
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
-
林 孝尚
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
-
五十嵐 泰史
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
-
猪股 大介
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
-
長田 昌也
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部
-
御手洗 俊
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部
-
後醍院 弘典
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部
-
長浜 勉
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部
-
磯部 千春
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部
-
後醍院 弘典
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
-
長浜 勉
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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林 孝尚
沖電気工業株式会社超lsi研究開発センタ
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佐々木 正義
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
-
守屋 博之
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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三橋 敏郎
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
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御手洗 俊
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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長田 昌也
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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三橋 敏郎
沖電気工業
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吉丸 正樹
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
-
磯部 千春
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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