擬似マトリクス型強誘電体メモリ : 強誘電体膜を用いた新しい大容量高速不揮発性メモリー
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
擬似マトリクス型強誘電体メモリ(Q-Matrixメモリ)はキャパシタのみでデータを記憶する新しい半導体メモリである。マトリクス構造に伴うディスターブ劣化や非選択セルのノイズ問題を解決し、メモリセルの3次元積層を可能にする。不揮発、大容量、超高速のストレージを実現する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-05
著者
関連論文
- プラズマMOCVD法により作製された低電圧動作用SrBi_2Ta_2O_9キャパシタ
- SBT膜と新構造スタックセルを用いた4Mb FeRAM(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 擬似マトリクス型強誘電体メモリ : 強誘電体膜を用いた新しい大容量高速不揮発性メモリー