高信頼性酸窒化膜形成とフラッシュメモリー及びCMOSFETへの応用
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概要
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RTO-RTN-RTON(N_2O-annealing)工程により形成した酸窒化膜(RTONO)は,ドライ酸化膜に比べ約4倍のQ_<bd>を与える.RTONO膜をトンネル膜として用いることにより,フラッシュメモリの書き込み/消去繰り返し特性におけるしきい値電圧の変動を低減することができる.また,RTONO膜をCMOSFETのゲート酸化膜とすることにより,n-MOSFETの高ゲート電界におけるg_mをドライ酸化膜に比べ大きくすることができ,p^+ゲートp-MOSFETにおいて,ボロンの突き抜けを低減する.これらは,RTONO工程により酸窒化膜/Si界面と酸窒化膜中に窒素原子を導入できたことによると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-29
著者
-
荒川 富行
沖電気工業株式会社コンポーネント事業部
-
林 孝尚
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
-
林 孝尚
沖電気工業株式会社超lsi研究開発センタ
-
松本 良一
プロセス技術センタ
-
大野 守史
沖電気工業株式会社超lsi研究開発センタ
-
大野 守史
沖電気工業
-
荒川 富行
超lsi研究開発センタ
-
河津 佳幸
沖電気工業(株)
-
松本 良一
沖電気工業(株)
-
河津 佳幸
沖電気工業(株)プロセス技術センター
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