フラッシュメモリセルBBT現象のシミュレーションによる解析と高信頼性セルの開発(<小特集>ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
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概要
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フラッシュメモリセルBBT現象をシミュレーションで解析するためBBTモデルを改良し新しく「平均電界」の概念を導入することにより,広いドレーンN-濃度範囲で実測値と良く一致する新モデルを提案する.そしてこのモデルを用いてメモリセルの信頼性について解析し, BBT発生量の差はEndurance特性には直接影響しないが,デイスターブ特性には影響を与えることを明らかにした.同モデルにより現セルの問題点の解析や次世代デバイスのBBT電流を高精度に見積ることが可能となった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-25
著者
-
大野 守史
沖電気工業(株)
-
西 謙二
近畿大工業高専
-
福田 浩一
沖電気工業株式会社
-
西 謙二
沖電気工業株式会社超LSI研究開発センタ
-
北 明夫
沖電気工業
-
林 孝尚
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
-
林 孝尚
沖電気工業株式会社超lsi研究開発センタ
-
大野 守史
沖電気工業株式会社超lsi研究開発センタ
-
大野 守史
沖電気工業
-
北 明夫
沖電気工業株式会社超lsi研究開発センタ
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